Giới thiệu chung về Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 7078-1:2002
Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 7078-1:2002 (hoàn toàn tương đương với tiêu chuẩn quốc tế ISO 7503-1:1988) quy định các nguyên tắc và phương pháp đánh giá nhiễm xạ bề mặt đối với các nguồn phát bêta (có năng lượng bêta cực đại lớn hơn 0,15 MeV) và các nguồn phát anpha. Đây là văn bản kỹ thuật nền tảng giúp các cơ quan quản lý, doanh nghiệp và phòng thí nghiệm thực hiện việc kiểm soát an toàn bức xạ, bảo vệ sức khỏe người lao động và môi trường xung quanh.
Điều 1: Phạm vi áp dụng
Tiêu chuẩn này xác định các yêu cầu kỹ thuật và phương pháp đo lường cụ thể nhằm đánh giá mức độ nhiễm xạ bề mặt:
- Áp dụng đối với bề mặt của các thiết bị, dụng cụ, nhà xưởng, phương tiện vận chuyển và các cấu trúc vật lý khác có nguy cơ bị nhiễm bẩn phóng xạ bởi các hạt bêta (năng lượng cực đại lớn hơn 0,15 MeV) và hạt anpha.
- Tiêu chuẩn không áp dụng trực tiếp cho việc đánh giá nhiễm xạ trên da người, quần áo cá nhân hoặc các bề mặt có độ nhám, lồi lõm vượt quá giới hạn kỹ thuật của thiết bị đo thông thường.
- Đóng vai trò làm căn cứ pháp lý và kỹ thuật để thiết lập các giới hạn an toàn và quy trình kiểm soát nhiễm xạ tại các cơ sở hạt nhân, cơ sở y tế và công nghiệp có sử dụng nguồn phóng xạ.
Điều 2: Tài liệu viện dẫn
Để đảm bảo tính chính xác và thống nhất trong quá trình áp dụng, tiêu chuẩn này yêu cầu sử dụng kết hợp với các tài liệu viện dẫn tiêu chuẩn quốc tế và quốc gia liên quan đến đo lường bức xạ, hiệu chuẩn thiết bị đo và các quy trình an toàn bức xạ chung. Các tài liệu này cung cấp các thông số kỹ thuật bổ trợ cho việc xác định sai số và hiệu chuẩn nguồn chuẩn.
Điều 3: Thuật ngữ và định nghĩa
Tiêu chuẩn làm rõ các khái niệm chuyên ngành cốt lõi để thống nhất cách hiểu trong thực tế đo đạc:
- Nhiễm xạ bề mặt (Surface Contamination): Sự hiện diện không mong muốn của chất phóng xạ trên các bề mặt vật lý, vượt quá mức phông tự nhiên hoặc mức giới hạn cho phép.
- Đo trực tiếp (Direct Measurement): Phương pháp xác định nhiễm xạ bằng cách đặt đầu dò của thiết bị đo trực tiếp lên hoặc sát bề mặt cần kiểm tra để ghi nhận tốc độ đếm xung.
- Đo gián tiếp (Indirect Measurement): Phương pháp đánh giá thông qua việc lau, vuốt bề mặt bằng vật liệu thấm hút chuyên dụng (phương pháp wipe test), sau đó tiến hành đo hoạt độ phóng xạ bám trên vật liệu đó tại phòng thí nghiệm.
- Hiệu suất của thiết bị đo (Instrument Efficiency): Tỷ số giữa tốc độ đếm ghi nhận được trên thiết bị và tốc độ phát hạt của nguồn phóng xạ trong một điều kiện hình học xác định.
- Hiệu suất của nguồn (Source Efficiency): Tỷ số giữa tốc độ phát hạt từ bề mặt nguồn và tốc độ phân rã thực tế của nguồn đó, phụ thuộc vào hiện tượng tự hấp thụ và tán xạ ngược của vật liệu làm nguồn.
Điều 4: Nguyên lý chung của phương pháp đánh giá
Nguyên lý đánh giá nhiễm xạ bề mặt được xây dựng dựa trên sự kết hợp chặt chẽ giữa đo đạc thực tế và tính toán hiệu chỉnh:
- Lựa chọn phương pháp đo phù hợp: Phương pháp đo trực tiếp được ưu tiên sử dụng nhờ tính nhanh chóng và phản ánh trực quan mức độ nhiễm xạ tại hiện trường, với điều kiện mức phông bức xạ môi trường xung quanh thấp. Phương pháp đo gián tiếp được áp dụng khi mức phông môi trường quá cao gây nhiễu kết quả đo trực tiếp, hoặc khi bề mặt cần đo có hình dạng phức tạp, khó tiếp cận bằng đầu dò.
- Yêu cầu về hiệu chuẩn thiết bị: Tất cả các thiết bị đo sử dụng trong quá trình đánh giá phải được hiệu chuẩn định kỳ bằng các nguồn chuẩn có đặc tính bức xạ (năng lượng, loại hạt phát ra) tương đương với nguồn gây nhiễm xạ thực tế.
- Xử lý và quy đổi số liệu: Kết quả đo thực tế (tốc độ đếm xung) phải được quy đổi về đơn vị hoạt độ trên một đơn vị diện tích (Bq/cm2) thông qua các công thức toán học có tính đến hiệu suất thiết bị, hiệu suất nguồn và diện tích bề mặt đo được quy định cụ thể trong tiêu chuẩn.
Để sử dụng toàn bộ tiện ích nâng cao của Hệ Thống Pháp Luật vui lòng lựa chọn và đăng ký gói cước.
Radiation protection - Evaluation of surface contamination - Part 1: Beta-emitters (maximum beta energy greater than 0,15 MeV) and alpha-emitters
Lời nói đầu
TCVN 7078 1 : 2002 hoàn toàn tương đương với ISO 7503 1 : 1988.
TCVN 7078 1 : 2002 do Ban kỹ thuật tiêu chuẩn TCVN/TC 85 “Năng lượng hạt nhân” biên soạn, Tổng cục Tiêu chuẩn Đo lường Chất lượng đề nghị, Bộ Khoa học và Công nghệ ban hành.
Tiêu chuẩn này được chuyển đổi năm 2008 từ Tiêu chuẩn Việt Nam cùng số hiệu thành Tiêu chuẩn Quốc gia theo quy định tại khoản 1 Điều 69 của Luật Tiêu chuẩn và Quy chuẩn kỹ thuật và điểm a khoản 1 Điều 6 Nghị định số 127/2007/NĐ-CP ngày 1/8/2007 của Chính phủ quy định chi tiết thi hành một số điều của Luật Tiêu chuẩn và Quy chuẩn kỹ thuật.
AN TOÀN BỨC XẠ - ĐÁNH GIÁ NHIỄM XẠ BỀ MẶT - PHẦN 1: NGUỒN PHÁT BÊTA (NĂNG LƯỢNG BÊTA CỰC ĐẠI LỚN HƠN 0,15 MEV) VÀ NGUỒN PHÁT ANPHA
Radiation protection - Evaluation of surface contamination - Part 1: Beta-emitters (maximum beta energy greater than 0,15 MeV) and alpha-emitters
1. Phạm vi và lĩnh vực áp dụng
Tiêu chuẩn này áp dụng cho việc đánh giá nhiễm xạ bề mặt tính theo hoạt độ phóng xạ trên một đơn vị diện tích đối với các thiết bị, dụng cụ và các côngtenơ chứa vật liệu phóng xạ và nguồn kín. Tiêu chuẩn này không áp dụng cho việc đánh giá nhiễm xạ trên da và quần áo.
Tiêu chuẩn này áp dụng đối với nguồn phát bêta có năng lượng cực đại Ebmax lớn hơn 0,15 MeV và nguồn phát anpha.
Tiêu chuẩn này chỉ áp dụng đối với nguồn phát bêta và anpha có suất phát xạ bêta (kể cả các điện tử đơn năng) và hạt anpha xấp xỉ 100 hạt trên 100 phân rã đối với từng loại (xem bảng 3 trong phần phụ lục).
Trong tiêu chuẩn này, khái niệm "năng lượng bêta" được hiểu là năng lượng cực đại của hạt bêta do nguồn phóng xạ phát ra.
Chú thích - Việc đánh giá độ nhiễm xạ bề mặt đối với triti sẽ được đề cập đến trong ISO 7503-2. Các hạt nhân phóng xạ quan trọng khác trong thực tiễn (ví dụ như các nguồn bắt điện tử và các nguồn chuyển dời đồng phân) sẽ được đề cập tới ở một tiêu chuẩn khác.
ISO 8769, Reference sources for the calibration of surface contamination monitors - Beta-emitters (maximum beta energy greater than 0,15 MeV) and alpha-emitters (Nguồn chuẩn để hiệu chuẩn các thiết bị kiểm xạ bề mặt đối với nguồn phát bêta (năng lượng cực đại lớn hơn 0,15 MeV) và nguồn phát anpha).
IEC Publication 325 - Alpha, beta and alpha-beta contamination meters and monitors (xuất bản phẩm số 325 của IEC - Các máy đo và kiểm xạ độ nhiễm xạ bề mặt đối với các nguồn bêta, anpha và anpha-bêta).
Trong tiêu chuẩn này các định nghĩa sau đây được sử dụng :
3.1 Nhiễm xạ bề mặt (surface contamination): Là sự nhiễm xạ bề mặt bởi các chất phóng xạ.
3.2 Nhiễm xạ bề mặt bám chặt (fixed surface contamination): Sự nhiễm xạ lên một bề mặt ở mức độ nó không thể tẩy bỏ được trong điều kiện làm việc bình thường.
3.3 Nhiễm xạ bề mặt có thể tẩy bỏ được (removable surface contamination): Sự nhiễm xạ có thể tẩy bỏ hoặc chuyển dời được trong điều kiện làm việc bình thường.
Chú thích:
1. Định nghĩa của cụm từ "điều kiện làm việc bình thường" là quan trọng để đánh giá nguy cơ hít vào hoặc xâm nhập chất phóng xạ khi người làm việc tiếp xúc với các bề mặt nhiễm xạ: "điều kiện làm việc bình thường" được hiểu là điều kiện làm việc mà ở đó cường độ cực đại của tác động cơ học có thể dẫn đến tẩy xạ bề mặt được giới hạn ở mức sau:
- sự tiếp xúc bình thường của cơ thể con người (có hoặc không có trang bị quần áo bảo hộ) với bề mặt nhiễm xạ, và
- sự tiếp xúc không phá huỷ với cường độ tương tự giữa bề mặt nhiễm xạ với các phần của thiết bị do con người trực tiếp tiếp xúc.
Cường độ tác động trong khi thử nghiệm tẩy xạ phải phù hợp với tác động cơ học nêu ở trên. Một lần tẩy bỏ bất thường không loại bỏ hết được tất cả sự nhiễm xạ.
2. Cần lưu ý rằng do ảnh hưởng của độ ẩm, hoá chất, v.v.. hoặc do hậu quả của sự ăn mòn hoặc sự khuếch tán, nhiễm xạ bám chặt
Để xem đầy đủ nội dung và sử dụng toàn bộ tiện ích của Hệ Thống Pháp Luật vui lòng lựa chọn và đăng ký gói cước.
Nếu bạn đã là thành viên, hãy bấm:
- 1Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 7945-2:2008 (ISO 10648-2 :1994) về An toàn bức xạ - Tủ cách ly - Phần 2: Phân loại theo độ kín và các phương pháp kiểm tra
- 2Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 8289:2009 về An toàn bức xạ - Thiết bị chiếu xạ công nghiệp sử dụng nguồn đồng vị gamma - Yêu cầu chung
- 3Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 8663:2011 (ISO 21482:2007) về An toàn bức xạ - Cảnh báo bức xạ ion hóa - Dấu hiệu bổ sung
- 4Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 5869:2010 (ISO 3999 : 2004) về An toàn bức xạ - Thiết bị chụp ảnh bằng tia Gamma trong công nghiệp - Yêu cầu kỹ thuật về tính năng, thiết kế và thử nghiệm
- 1Luật Tiêu chuẩn và quy chuẩn kỹ thuật 2006
- 2Quyết định 06/2002/QĐ-BKHCN về Tiêu chuẩn Việt Nam do Bộ trưởng Bộ Khoa học và công nghệ ban hành
- 3Nghị định 127/2007/NĐ-CP Hướng dẫn Luật Tiêu chuẩn và Quy chuẩn kỹ thuật
- 4Quyết định 2125/QĐ-BKHCN năm 2008 công bố tiêu chuẩn quốc gia do Bộ trưởng Bộ Khoa học và Công nghệ ban hành
- 5Quyết định 4202/QĐ-BKHCN năm 2018 về hủy bỏ Tiêu chuẩn quốc gia về An toàn bức xạ do Bộ trưởng Bộ Khoa học và Công nghệ ban hành
- 6Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 7945-2:2008 (ISO 10648-2 :1994) về An toàn bức xạ - Tủ cách ly - Phần 2: Phân loại theo độ kín và các phương pháp kiểm tra
- 7Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 8289:2009 về An toàn bức xạ - Thiết bị chiếu xạ công nghiệp sử dụng nguồn đồng vị gamma - Yêu cầu chung
- 8Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 8663:2011 (ISO 21482:2007) về An toàn bức xạ - Cảnh báo bức xạ ion hóa - Dấu hiệu bổ sung
- 9Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 5869:2010 (ISO 3999 : 2004) về An toàn bức xạ - Thiết bị chụp ảnh bằng tia Gamma trong công nghiệp - Yêu cầu kỹ thuật về tính năng, thiết kế và thử nghiệm
- 10Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 7078-1:2018 (ISO 7503-1:2016) về Đo hoạt độ phóng xạ – Đo và đánh giá nhiễm bẩn phóng xạ bề mặt Phần 1: Nguyên tắc chung
Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 7078-1:2002 (ISO 7503 - 1 : 1988) về An toàn bức xạ - Đánh giá nhiễm xạ bề mặt - Phần 1: Nguồn phát bêta (năng lượng bêta cực đại lớn hơn 0,15 MeV) và nguồn phát anpha
- Số hiệu: TCVN7078-1:2002
- Loại văn bản: Tiêu chuẩn Việt Nam
- Ngày ban hành: 07/11/2002
- Nơi ban hành: Bộ Khoa học và Công nghệ
- Người ký: ***
- Ngày công báo: Đang cập nhật
- Số công báo:
- Ngày hiệu lực: 11/10/2026
- Tình trạng hiệu lực: Kiểm tra
