Tóm tắt Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 10802:2015 (ISO 8769:2010) về Nguồn chuẩn - Hiệu chuẩn các thiết bị đo nhiễm bẩn phóng xạ bề mặt - Nguồn phát anpha, beta và photon
Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 10802:2015 hoàn toàn tương đương với tiêu chuẩn quốc tế ISO 8769:2010. Tiêu chuẩn này quy định các yêu cầu kỹ thuật đối với các nguồn chuẩn được sử dụng để hiệu chuẩn các thiết bị đo nhiễm bẩn phóng xạ bề mặt. Dưới đây là nội dung tóm tắt chi tiết và chuyên sâu từ Điều 1 đến Điều 4 của tiêu chuẩn này.
- Điều 1: Phạm vi áp dụng
- Tiêu chuẩn này quy định các đặc trưng của nguồn chuẩn dùng để hiệu chuẩn các thiết bị đo nhiễm bẩn phóng xạ bề mặt, cụ thể là các nguồn phát bức xạ anpha, beta và photon (có năng lượng photon cực đại không lớn hơn 1,5 MeV).
- Xác định các yêu cầu đối với nguồn chuẩn có liên kết chuẩn trực tiếp với các chuẩn đo lường quốc gia hoặc quốc tế nhằm đảm bảo tính thống nhất và độ chính xác cao trong đo lường bức xạ.
- Tiêu chuẩn không áp dụng cho các nguồn có diện tích hoạt độ nhỏ hơn 10 cm vuông, trừ khi có quy định riêng biệt khác.
- Điều 2: Tài liệu viện dẫn
- Các tài liệu viện dẫn trong tiêu chuẩn này là bắt buộc áp dụng. Đối với các tài liệu viện dẫn ghi năm công bố thì áp dụng bản được nêu. Đối với các tài liệu viện dẫn không ghi năm công bố thì áp dụng phiên bản mới nhất, bao gồm cả các sửa đổi, bổ sung (nếu có).
- Các tài liệu viện dẫn chủ yếu liên quan đến các tiêu chuẩn quốc tế về đo lường bức xạ, thuật ngữ hạt nhân và các hướng dẫn về độ không đảm bảo đo trong đo lường (GUM).
- Điều 3: Thuật ngữ và định nghĩa
Tiêu chuẩn đưa ra các định nghĩa cốt lõi để thống nhất cách hiểu và áp dụng trong thực tế hiệu chuẩn:
- Suất phát xạ bề mặt (Surface emission rate): Số lượng hạt (anpha, beta hoặc photon) có năng lượng xác định được phát ra từ bề mặt nguồn (hoặc cửa sổ nguồn) trong một đơn vị thời gian theo hướng góc 2 pi.
- Hoạt độ (Activity): Số phân rã hạt nhân tự phát từ một trạng thái năng lượng hạt nhân xác định trong một khoảng thời gian chia cho khoảng thời gian đó.
- Nguồn chuẩn (Reference source): Nguồn phóng xạ có các đặc trưng bức xạ được xác định với độ chính xác cao, dùng để hiệu chuẩn thiết bị đo.
- Nhiễm bẩn bề mặt (Surface contamination): Sự xuất hiện không mong muốn của chất phóng xạ trên các bề mặt.
- Điều 4: Phân loại nguồn chuẩn
Tiêu chuẩn phân loại các nguồn chuẩn thành ba cấp độ rõ rệt dựa trên độ không đảm bảo đo và mục đích sử dụng:
- Nguồn chuẩn cấp 1 (Class 1 reference sources): Là các nguồn được hiệu chuẩn trực tiếp tại các phòng thí nghiệm chuẩn đo lường quốc gia hoặc các phòng thí nghiệm được ủy quyền. Nguồn cấp 1 có độ không đảm bảo đo nhỏ nhất và được dùng để hiệu chuẩn các nguồn cấp 2 hoặc các thiết bị đo có độ chính xác cực cao.
- Nguồn chuẩn cấp 2 (Class 2 reference sources): Là các nguồn được hiệu chuẩn bằng cách so sánh trực tiếp với nguồn chuẩn cấp 1 hoặc sử dụng các thiết bị đo đã được hiệu chuẩn bằng nguồn cấp 1. Nguồn cấp 2 thường được dùng trong các phòng thí nghiệm hiệu chuẩn thứ cấp.
- Nguồn chuẩn làm việc (Working reference sources): Là các nguồn được hiệu chuẩn bằng cách so sánh với nguồn chuẩn cấp 1 hoặc cấp 2, được sử dụng trực tiếp tại hiện trường để kiểm tra và hiệu chuẩn hàng ngày các thiết bị đo nhiễm bẩn phóng xạ bề mặt.
Để sử dụng toàn bộ tiện ích nâng cao của Hệ Thống Pháp Luật vui lòng lựa chọn và đăng ký gói cước.
ISO 8769:2010
Reference sources - Calibration of surface contamination monitors - Alpha-, beta- and photon emitters
Lời nói đầu
TCVN 10802:2015 hoàn toàn tương đương với ISO 8769:2010.
TCVN 10802:2015 do Ban kỹ thuật Tiêu chuẩn quốc gia TCVN/TC 85 Năng lượng hạt nhân biên soạn, Tổng cục Tiêu chuẩn Đo lường Chất lượng đề nghị, Bộ Khoa học và Công nghệ công bố
Lời giới thiệu
Nhiễm bẩn phóng xạ bề mặt có thể do chất phóng xạ bị tràn ra, bắn ra hoặc rò rỉ từ các nguồn phóng xạ hở, hoặc do nguồn phóng xạ kín bị vỡ hoặc mất tính toàn vẹn và có thể làm gia tăng các mối nguy hại về sức khoẻ như sau:
a) Chiếu xạ ngoài các bộ phận của cơ thể gần bề mặt nhiễm xạ;
b) Chất phóng xạ từ bề mặt nhiễm xạ đi vào cơ thể qua con đường hô hấp, tiêu hóa hoặc qua các vết thương.
Từ lâu người ta đã nhận thấy, sự cần thiết phải đo hiệu quả nhiễm bẩn phóng xạ bề mặt, xem các Tài liệu tham khảo [1] và [2]. Nhiễm bẩn phóng xạ bề mặt được định lượng bằng hoạt độ phóng xạ trên một đơn vị diện tích, đại lượng thường được sử dụng để quy định “các giới hạn dẫn suất', nghĩa là giới hạn nhiễm bẩn phóng xạ bề mặt tối đa. Các giới hạn này được dựa trên các xem xét về bảo vệ bức xạ và được suy ra từ các tương đương liều hoặc giới hạn hấp thụ theo khuyến nghị của Cơ quan an toàn bức xạ quốc tế (ICRP), xem Tài liệu tham khảo [3] và [4]. Các giới hạn dẫn xuất được quy định trong nhiều văn bản quy phạm của quốc gia quy định chi tiết về đo nhiễm bẩn phóng xạ bề mặt.
Yêu cầu đối với tiêu chuẩn này bắt nguồn từ sự cần thiết đối với các nguồn chuẩn tiêu chuẩn trong các tiêu chuẩn về hiệu chuẩn các thiết bị đo nhiễm bẩn phóng xạ bề mặt.
Trong khi các văn bản quy phạm đề cập đến nhiễm bẩn phóng xạ bề mặt dưới dạng hoạt độ trên một đơn vị diện tích thì độ đáp ứng của các thiết bị đo liên quan trực tiếp đến bức xạ phát ra từ bề mặt hơn là hoạt độ ở phía trên hoặc trong bề mặt. Do sự khác nhau về đặc tính hấp thụ và tán xạ của các bề mặt thực nên nhìn chung, không thể giả định rằng có một tương quan đơn giản, đã biết giữa suất liều phát xạ bề mặt và hoạt độ. Vì thế, rất cần các nguồn chuẩn được quy định chủ yếu cho suất liều phát xạ bề mặt cũng như hoạt độ. Liên kết chuẩn các nguồn chuẩn theo các tiêu chuẩn quốc tế hoặc quốc gia được thiết lập bởi một hệ thống các thiết bị truyền chuẩn.
NGUỒN CHUẨN - HIỆU CHUẨN CÁC THIẾT BỊ ĐO NHIỄM BẨN PHÓNG XẠ BỀ MẶT - NGUỒN PHÁT ANPHA, BETA VÀ PHOTON
Reference sources - Calibration of surface contamination monitors - Alpha-, beta- and photon emitters
Tiêu chuẩn này quy định đặc điểm của nguồn chuẩn đối với nhiễm bẩn phóng xạ bề mặt, liên kết chuẩn đến các chuẩn đo lường quốc gia, dùng để hiệu chuẩn các thiết bị đo nhiễm bẩn phóng xạ bề mặt. Tiêu chuẩn này áp dụng đối với các nguồn phát anpha, nguồn phát beta và nguồn phát photon với năng lượng photon cực đại không lớn hơn 1,5 MeV. Tiêu chuẩn không đề cập đến quy trình liên quan đến việc sử dụng các nguồn chuẩn này để hiệu chuẩn các thiết bị đo nhiễm bẩn phóng xạ bề mặt. Các quy trình này được quy định trong IEC 60325, IEC 62363 và các tài liệu khác.
CHÚ THÍCH: Khi sử dụng một số nguồn photon kể cả các bộ lọc các nguồn photon này được xem như các nguồn photon của một dải năng lượng nhất định và không phải nguồn của nhân phóng xạ nhất định. Ví dụ: nguồn 241Am có bộ lọc được khuyến nghị không phát hạt anpha hoặc photon tia X vành L năng lượng thấp đặc trưng liên quan đến phân rã của nhân. Nguồn này được thiết kế là nguồn phát photon với năng lượng trung bình khoảng 60 keV.
Tiêu chuẩn này cũng quy định bức xạ chuẩn để hiệu chuẩn các thiết bị đo nhiễm bẩn phóng xạ bề mặt,
Để xem đầy đủ nội dung và sử dụng toàn bộ tiện ích của Hệ Thống Pháp Luật vui lòng lựa chọn và đăng ký gói cước.
Nếu bạn đã là thành viên, hãy bấm:
- 1Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 10169:2013 (CAC/RCP 56-2004) về Quy phạm thực hành ngăn ngừa và giảm thiểu nhiễm bẩn chì vào thực phẩm
- 2Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 10884-3:2015 (IEC 60664-3:2010) về Phối hợp cách điện dùng cho thiết bị trong hệ thống điện hạ áp - Phần 3: Sử dụng lớp phủ, vỏ bọc hoặc khuôn đúc để bảo vệ chống nhiễm bẩn
- 3Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 11256-6:2015 (ISO 8573-6:2003) về Không khí nén - Phần 6: Phương pháp xác định hàm lượng khí nhiễm bẩn
- 4Tiêu chuẩn quốc gia TCVN ISO/IEC 17025:2017 (ISO/IEC 17025:2017) về Yêu cầu chung về năng lực của phòng thử nghiệm và hiệu chuẩn
- 1Tiêu chuẩn quốc gia TCVN ISO/IEC 17025:2007 (ISO/IEC 17025 : 2005) về Yêu cầu chung về năng lực của phòng thử nghiệm và hiệu chuẩn
- 2Tiêu chuẩn Việt Nam TCVN 9595-3:2013 (ISO/IEC GUIDE 98-3:2008) về độ không đảm bảo đo – Phần 3: Hướng dẫn trình bày độ không đảm bảo đo (GUM:1995)
- 3Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 10169:2013 (CAC/RCP 56-2004) về Quy phạm thực hành ngăn ngừa và giảm thiểu nhiễm bẩn chì vào thực phẩm
- 4Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 7942-1:2008 (ISO 4037-1 : 1996) về An toàn bức xạ - Bức xạ chuẩn tia X và gamma hiệu chuẩn liều kế và máy đo suất liều và xác định đáp ứng của thiết bị theo năng lượng photon - Phần 1: Đặc tính bức xạ và phương pháp tạo ra bức xạ
- 5Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 7942-2:2008 (ISO 4037-2 : 1997) về An toàn bức xạ - Bức xạ chuẩn tia X và gamma hiệu chuẩn liều kế và máy đo suất liều và xác định đáp ứng của thiết bị theo năng lượng photon - Phần 2: Đo liều trong bảo vệ bức xạ cho dải năng lượng từ 8 KeV đến 1,3 MeV và và từ 4 MeV đến 9 MeV
- 6Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 10884-3:2015 (IEC 60664-3:2010) về Phối hợp cách điện dùng cho thiết bị trong hệ thống điện hạ áp - Phần 3: Sử dụng lớp phủ, vỏ bọc hoặc khuôn đúc để bảo vệ chống nhiễm bẩn
- 7Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 11256-6:2015 (ISO 8573-6:2003) về Không khí nén - Phần 6: Phương pháp xác định hàm lượng khí nhiễm bẩn
- 8Tiêu chuẩn quốc gia TCVN ISO/IEC 17025:2017 (ISO/IEC 17025:2017) về Yêu cầu chung về năng lực của phòng thử nghiệm và hiệu chuẩn
Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 10802:2015 (ISO 8769:2010) về Nguồn chuẩn - Hiệu chuẩn các thiết bị đo nhiễm bẩn phóng xạ bề mặt - Nguồn phát anpha, beta và photon
- Số hiệu: TCVN10802:2015
- Loại văn bản: Tiêu chuẩn Việt Nam
- Ngày ban hành: 01/01/2015
- Nơi ban hành: ***
- Người ký: ***
- Ngày công báo: Đang cập nhật
- Số công báo: Đang cập nhật
- Ngày hiệu lực: 14/08/2026
- Tình trạng hiệu lực: Kiểm tra
