TIÊU CHUẨN QUỐC GIA

TCVN 10802:2015

ISO 8769:2010

NGUỒN CHUẨN - HIỆU CHUẨN CÁC THIẾT BỊ ĐO NHIỄM BẨN PHÓNG XẠ BỀ MẶT - NGUỒN PHÁT ANPHA, BETA VÀ PHOTON

Reference sources - Calibration of surface contamination monitors - Alpha-, beta- and photon emitters

Lời nói đầu

TCVN 10802:2015 hoàn toàn tương đương với ISO 8769:2010.

TCVN 10802:2015 do Ban kỹ thuật Tiêu chuẩn quốc gia TCVN/TC 85 Năng lượng hạt nhân biên soạn, Tổng cục Tiêu chuẩn Đo lường Chất lượng đề nghị, Bộ Khoa học và Công nghệ công bố

Lời giới thiệu

Nhiễm bẩn phóng xạ bề mặt có thể do chất phóng xạ bị tràn ra, bắn ra hoặc rò rỉ từ các nguồn phóng xạ hở, hoặc do nguồn phóng xạ kín bị vỡ hoặc mất tính toàn vẹn và có thể làm gia tăng các mối nguy hại về sức khoẻ như sau:

a) Chiếu xạ ngoài các bộ phận của cơ thể gần bề mặt nhiễm xạ;

b) Chất phóng xạ từ bề mặt nhiễm xạ đi vào cơ thể qua con đường hô hấp, tiêu hóa hoặc qua các vết thương.

Từ lâu người ta đã nhận thấy, sự cần thiết phải đo hiệu quả nhiễm bẩn phóng xạ bề mặt, xem các Tài liệu tham khảo [1] và [2]. Nhiễm bẩn phóng xạ bề mặt được định lượng bằng hoạt độ phóng xạ trên một đơn vị diện tích, đại lượng thường được sử dụng để quy định “các giới hạn dẫn suất', nghĩa là giới hạn nhiễm bẩn phóng xạ bề mặt tối đa. Các giới hạn này được dựa trên các xem xét về bảo vệ bức xạ và được suy ra từ các tương đương liều hoặc giới hạn hấp thụ theo khuyến nghị của Cơ quan an toàn bức xạ quốc tế (ICRP), xem Tài liệu tham khảo [3] và [4]. Các giới hạn dẫn xuất được quy định trong nhiều văn bản quy phạm của quốc gia quy định chi tiết về đo nhiễm bẩn phóng xạ bề mặt.

Yêu cầu đối với tiêu chuẩn này bắt nguồn từ sự cần thiết đối với các nguồn chuẩn tiêu chuẩn trong các tiêu chuẩn về hiệu chuẩn các thiết bị đo nhiễm bẩn phóng xạ bề mặt.

Trong khi các văn bản quy phạm đề cập đến nhiễm bẩn phóng xạ bề mặt dưới dạng hoạt độ trên một đơn vị diện tích thì độ đáp ứng của các thiết bị đo liên quan trực tiếp đến bức xạ phát ra từ bề mặt hơn là hoạt độ ở phía trên hoặc trong bề mặt. Do sự khác nhau về đặc tính hấp thụ và tán xạ của các bề mặt thực nên nhìn chung, không thể giả định rằng có một tương quan đơn giản, đã biết giữa suất liều phát xạ bề mặt và hoạt độ. Vì thế, rất cần các nguồn chuẩn được quy định chủ yếu cho suất liều phát xạ bề mặt cũng như hoạt độ. Liên kết chuẩn các nguồn chuẩn theo các tiêu chuẩn quốc tế hoặc quốc gia được thiết lập bởi một hệ thống các thiết bị truyền chuẩn.

NGUỒN CHUẨN - HIỆU CHUẨN CÁC THIẾT BỊ ĐO NHIỄM BẨN PHÓNG XẠ BỀ MẶT - NGUỒN PHÁT ANPHA, BETA VÀ PHOTON

Reference sources - Calibration of surface contamination monitors - Alpha-, beta- and photon emitters

1  Phạm vi áp dụng

Tiêu chuẩn này quy định đặc điểm của nguồn chuẩn đối với nhiễm bẩn phóng xạ bề mặt, liên kết chuẩn đến các chuẩn đo lường quốc gia, dùng để hiệu chuẩn các thiết bị đo nhiễm bẩn phóng xạ bề mặt. Tiêu chuẩn này áp dụng đối với các nguồn phát anpha, nguồn phát beta và nguồn phát photon với năng lượng photon cực đại không lớn hơn 1,5 MeV. Tiêu chuẩn không đề cập đến quy trình liên quan đến việc sử dụng các nguồn chuẩn này để hiệu chuẩn các thiết bị đo nhiễm bẩn phóng xạ bề mặt. Các quy trình này được quy định trong IEC 60325, IEC 62363 và các tài liệu khác.

CHÚ THÍCH: Khi sử dụng một số nguồn photon kể cả các bộ lọc các nguồn photon này được xem như các nguồn photon của một dải năng lượng nhất định và không phải nguồn của nhân phóng xạ nhất định. Ví dụ: nguồn ²⁴¹Am có bộ lọc được khuyến nghị không phát hạt anpha hoặc photon tia X vành L năng lượng thấp đặc trưng liên quan đến phân rã của nhân. Nguồn này được thiết kế là nguồn phát photon với năng lượng trung bình khoảng 60 keV.

Tiêu chuẩn này cũng quy định bức xạ chuẩn để hiệu chuẩn các thiết bị đo nhiễm bẩn phóng xạ bề mặt, bức xạ này ở dưới dạng nguồn có diện tích rộng với đặc trưng thích hợp, phải